器......”
“在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。”
“一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。”
“越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。”
“可能大家不是专业，不知道，光刻机的波长越短，可曝光的特征尺寸就越小，波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。”
“还有就是离子束比激动束，有着非常大的能量，能量越大，曝光时间就越短。”
“而我设计的光刻机，不管是在支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等，理论上都比ASML的 EUV NXE 3350B强！”
“他的可见g线：136nm，i线：65nm，深紫外光（DUV），KrF 准分子离子束：48 nm， ArF 准分子离子束：23 nm！”
“它可以加工2nm的精度！”
2nm的精度？
不会是乱报的吧？
怎么可能有这么高的精度？
真的假的？
刘林前面说的技术，可能自己不是专业听不明白，但是最后果的可以2nm的精度还是明白的！
要知道现在就世界上最牛的光刻机最高精度，是H兰国的，好像是5nm？
现在你跟我说你设计的光刻机加工精度达到2nm？确认没搞错？
忽悠人也不是这么忽悠的吧！
一个个虽然心里不怎么相信，但也学乖了，刚才差点被刘林玩坏掉！
这次不长我个心眼是不行了！
要知道台眼地操蛋的家伙，有时候真的好想上去打他一顿，简直是坑死人不偿命。
要是再长多个心眼，迟早给玩死。
所以还是乖乖地当一个三好学生，等刘林继续...
你继续表现，现在你是老大，你说了算，你想怎么表演就怎么表演。
还不行嘛。
五老板在中午的时候就收到相关的信息，自然不会太多的表示
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